资讯中心_湖北省纵恒光电有限责任公司

2026/06/11

工信部力推高端光电芯片及器件研发，PZT电光薄膜助力智算光电互联

就在昨天，工业和信息化部印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》，明确提出加强高端光电芯片和器件研发，将其作为夯实人工智能发展底座的关键一环。

2026/06/10

拓展前沿PZT薄膜材料边界纵恒光电突破电光调制和压电介电常数瓶颈

湖北纵恒光电聚焦 PZT、BTO高端薄膜材料，依托华科团队实现全球领先性能，已实现材料小批量生产，以产学研生态推动国产替代，为超高速光通信与 AI 光计算提供核心材料支撑。纵恒光电创始人江华表示，公司成立初心极为纯粹——专注高端薄膜材料，攻克被国外“卡脖子”的战略领域。PZT 与 BTO 作为电光领域顶级材料比较依赖进口，国内产业链存在明显短板，而这两类材料正是下一代高速光通信、光计算的核心基石。

2026/05/13

下一代硅光电子的“性能破局者”：BTO与PZT凭什么挑战铌酸锂？

硅基光电子正在经历一场静默而深刻的材料变革。过去数年，薄膜铌酸锂凭借优异的综合性能，成功从学术走向产业，成为高速光互连、微波光子学和量子光学领域的重要支柱。

2026/05/10

重大突破！高取向BTO电光薄膜晶圆填补国内市场空白！

纵恒光电公司联合华中科技大学集成电路学院，成功批量制备高电光系数（≥200pm/V）、高度200取向的钛酸钡（BTO）电光薄膜晶圆。

2026/05/10

邀请函 | 纵恒光电诚邀您参加光谷光博会

第二十一届“中国光谷”国际光电子博览会邀请函

2026/05/07

突破!高性能硅基多晶BTO电光薄膜实现晶圆级可定制制备

近日，湖北省纵恒光电有限责任公司与华中科技大学集成电路学院合作，在钛酸钡（BaTiO₃，BTO）研究领域取得重要进展，成功开发出一系列可在 Si（单晶硅）、SiO-Si（氧化硅/硅复合衬底）、SiC（碳化硅）、石英玻璃、蓝宝石、氧化镁等多种基底上异质集成的BTO电光薄膜晶圆产品，具备向高速光通信、光互连及量子光学等前沿领域推广的潜力。

2026/04/22

突破！｜硅基上的“原子级地基”：缓冲层技术攻克应力和热失配，锁定钙钛矿薄膜100取向生长

在半导体与光电器件领域，无机铁电钙钛矿（ABO₃）材料凭借优异的铁电、压电性能，正加速渗透滤波器、压电器件、电光调制器、铁电存储器等热门赛道。然而，一个长期困扰行业的问题始终未解：这类材料难以在硅基等衬底上高质量集成——晶格失配、界面缺陷、光学损耗，三大瓶颈挡在产业化面前。对此，我司给出了一个简洁而强大的答案：一层具有光学匹配性的“原子级地基”缓冲层。