工信部力推高端光电芯片及器件研发，PZT电光薄膜助力智算光电互联

发布时间：2026-06-11 09:51:20

就在昨天，工业和信息化部印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》，明确提出加强高端光电芯片和器件研发，将其作为夯实人工智能发展底座的关键一环。

政策划重点：光电芯片与器件成攻关核心

实施意见要求：

加强高速光电芯片、高速转发/交换芯片研发验证

突破全光交换器件、光电共封装（CPO）器件等技术

开展光电混合组网技术试验

重点攻关智算超节点光电互联技术，开展智算网络产品验证

这意味着，未来三年，从智算中心内部到广域骨干网（400G/800G），光电转换效率与集成密度将成为决定算力性能的关键瓶颈。

助力“AI+光通信”国产化

我司产品直接响应政策号召。自主研发的PZT电光薄膜，电光系数 ≥ 400 pm/V，国际领先，可显著降低调制电压、提升带宽，完美匹配高速光电芯片、光电共封装器件对核心电光材料的需求，可用于电光调制器、光频梳、光学开关、电光传感器等光电器件。

用领先的电光材料，打通算力的光动脉。

合作永远是开放的。

除了PZT电光薄膜晶圆，我司自研的PZT压电厚膜（2-10um）晶圆材料，可用于高端压电风扇的制备；BTO电光薄膜晶圆材料，为新一代电光调制器提供了另一种答题思路。

政策东风已至，我们愿与产业链伙伴携手，共同加速智算光电互联技术的落地。