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重大突破!高取向BTO电光薄膜晶圆填补国内市场空白!

重大突破!高取向BTO电光薄膜晶圆填补国内市场空白!

纵恒光电公司联合华中科技大学集成电路学院,成功批量制备高电光系数(≥200pm/V)、高度200取向的钛酸钡(BTO)电光薄膜晶圆。

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突破!高性能硅基多晶BTO电光薄膜实现晶圆级可定制制备

突破!高性能硅基多晶BTO电光薄膜实现晶圆级可定制制备

​近日,湖北省纵恒光电有限责任公司与华中科技大学集成电路学院合作,在钛酸钡(BaTiO₃,BTO)研究领域取得重要进展,成功开发出一系列可在 Si(单晶硅)、SiO-Si(氧化硅/硅复合衬底)、SiC(碳化硅)、石英玻璃、蓝宝石、氧化镁等多种基底上异质集成的BTO电光薄膜晶圆产品,具备向高速光通信、光互连及量子光学等前沿领域推广的潜力。

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突破!|硅基上的“原子级地基”:缓冲层技术攻克应力和热失配,锁定钙钛矿薄膜100取向生长

突破!|硅基上的“原子级地基”:缓冲层技术攻克应力和热失配,锁定钙钛矿薄膜100取向生长

在半导体与光电器件领域,无机铁电钙钛矿(ABO₃)材料凭借优异的铁电、压电性能,正加速渗透滤波器、压电器件、电光调制器、铁电存储器等热门赛道。然而,一个长期困扰行业的问题始终未解:这类材料难以在硅基等衬底上高质量集成——晶格失配、界面缺陷、光学损耗,三大瓶颈挡在产业化面前。对此,我司给出了一个简洁而强大的答案:一层具有光学匹配性的“原子级地基”缓冲层。

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